ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Интегрированный гибридный усилитель класса ultra hi-end: лампы в предварительном каскаде, транзисторы SIT в оконечном

Выходная мощность: 2 х 50 Вт (8 Ом); 2 х100 Вт (4 Ом)

Частотный диапазон: 20 Гц – 100 кГц

КНИ: <0.1 %

Входы: 1-3 небалансные/линейные (Sourse Out); 4-ый небалансный (Main-In/Preamp Out)

Входной каскад: триодно-пентодный

Оконечный каскад: SIT SEPP O.T.L

Схема: без ООС, класс АВ

Контрольные функции: защита от бросков тока, защита SIT, защита от компонентов постоянного тока, активное охлаждение

Потребляемая мощность: 50 Вт (stand-by)

Питание: 100/230 В

Габаритные размеры: 43,0 х 36,3 х 19,7 см

Масса: 22 кг

Розничная цена: по запросу

ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ

Оптимальная гибридная технология, объединяющая лампы в предварительном каскаде и транзисторы SIT в оконечном, позволяет реализовать достоинства ламповой и транзисторной схемотехники и получить выразительное и очень музыкальное звучание. Лампа со свойственной ей способностью сглаживать резкие скачки сигнала гарантирует комфортное звучание даже на fortissimo, тогда как отобранные транзисторы SIT обеспечивают непревзойденную линейность амплитудно-частотной характеристики.

Японский полупроводник SIT (static induction transistor)  разработан всемирно известным специалистом – экс-президентом университета Тохоку,  доктором Нисицава. Данный SIT позволяет работать с высокими токами при низком энергопотреблении: минимизация сопротивления каналов гарантирует низкое внутренне сопротивление, высокую скорость нарастания выходного напряжения, высокий КПД.

Все вместе обеспечивает беспрецедентно высокую точность сигнальной трансмиссии.